Thin films deposition
| Titre | Thin films deposition |
| Type | Rapport de stage |
| Auteurs | Lebouc Laure |
| Directeurs | Zawadzka Anna |
| Année | 2018 |
| URL | https://dune.univ-angers.fr/fichiers/14000817/2018TMPA9127/fichier/9127F.pdf |
| Mots-clés | optical properties, structural properties, thin film deposition, zinc oxyde |
| Résumé | Ce stage a porté sur l’élaboration de couches minces d’oxyde de zinc par la technique de déposition physique en phase vapeur par évaporation thermique et la caractérisation de leurs propriétés. Les films ont été déposés sur des substrats de verre et de silicium puis certains ont subi un traitement sous air à différentes températures (300, 400 et 500°C). La caractérisation optique a montré que les films sont plutôt métalliques au départ, présentant une certaine opacité due à leur couleur marron, et s’oxydent au fur et à mesure du traitement thermique pour devenir complètement transparent. Leur transmittance est très élevée dans le visible et ils possèdent un large gap, de l’ordre de 3,2 eV lorsqu’ils ont subi un recuit. L’étude structurale par microscopie à force atomique a montré une différence de rugosité et de taille des grains pour le film recuit à 400°C. De plus, une luminescence plus élevée a été mesurée pour ce film. Le recuit des couches minces a permis une transition d’un film métallique Zn en un film ZnO de bonne qualité, surtout pour un recuit à 400°C. |
| Résumé en anglais | This internship focused on the elaboration of zinc oxide thin films by physical vapor deposition using thermal evaporation and the characterization of their properties. Films were deposited on glass and silicon substrates and then some were annealed at different temperatures (300, 400 and 500°C). Optical characterization has shown that the films are rather metallic initially, having a certain opacity due to their brown colour, and oxidize as the heat treatment to become completely transparent. Their transmittance is very high in the visible and they have a wide gap, in the order of 3.2 eV when they have undergone annealing. Structural study by atomic force microscopy showed a difference in roughness and grain size for the annealed film at 400°C. In addition, higher luminescence was measured for this film. Thin film annealing allowed a transition from a Zn metal film to a good quality ZnO thin film, especially for annealing at 400 ° C. |
| Langue de rédaction | Anglais |
| Nb pages | 37 |
| Diplôme | Master Physique Appliquée et ingénierie physique |
| Date de soutenance | 2018-06-27 |
| Editeur | Université Angers |
| Place Published | Angers |
| Entreprise | Laboratory of Physical Foundations of Microelectronics, University Nicolaus Copernicus, Torun, Poland |
| Tuteur | Bouchta Sahraoui |
| Libellé UFR | UFR de Sciences |