Classification des éléments de fiabilité sur la technologie de transistor GaN à partir de documents de recherche
| Titre | Classification des éléments de fiabilité sur la technologie de transistor GaN à partir de documents de recherche |
| Type | Rapport de projet |
| Auteurs | Chiffoleau Quentin, El Ajjani Najib, Mizelet Hyannick |
| Année | 2011 |
| URL | http://dune.univ-angers.fr/fichiers/20093430/20115EI463/fichier/463F.pdf |
| Mots-clés | aspect critique, fiabilité, Nouvelles Technologies, systèmes d’armements, Thalès Air System, transistor |
| Résumé | Dans le cadre de notre 3ème année du cycle ingénieur, nous avons réalisé un projet industriel pour l’entreprise Thalès Air System, basée sur Rouen. Cette entreprise fait partie du groupe Thalès, l’un des leaders dans les produits de hautes technologies au service de l’aérospatiale et de la défense. Le produit sur lequel Thalès Air System nous a demandé de travailler est un transistor. Sa particularité est d’utiliser une nouvelle technologie, l’AlGaN/GaN HEMT (GaN = Gallium Nitride ; AlGaN = Aluminium Gallium Nitride). Cette nouvelle technologie de transistor a été mise au point en 1997 par la DGA (Direction Général de l’Armement), afin de concevoir la défense de demain. Pour faire cela, ils se sont concentrés sur les composants critiques présents dans les systèmes d’armements, particulièrement pour les composants non redondé, à savoir le transistor AlGaN/GaN HEMT. Malgré des tests forts sur la maturité, la fiabilité d’après les performances décrite par les fabricants et les laboratoires académiques, le comportement à long termes de cette technologie n’est pas bien connu. Dans le but de répondre a ce besoin, Thalès Air System a fait appel à l’ISTIA. Notre travail permettra à Thalès Air Systems mieux maîtriser la fiabilité de leurs systèmes. L’aspect très critique ceux ci, utilisé pour des applications militaires, renforce cette volonté. |
| Résumé en anglais | As part of our third year of engineering studies, we carry out an industrial project for the company Thales Air Systems, based in Rouen. This company is part of Thales, a leader in high technology products serving the aerospace and defense.The product on which Thales Air Systems have been asked to work is a transistor. Its characteristic is to use a new technology, the AlGaN / GaN HEMT (Gallium Nitride GaN =; Aluminum Gallium Nitride AlGaN =).This new transistor technology was developed in 1997 by the DGA (Direction Général de l’Armement) to design the defense of tomorrow. To do this, they focused on critical components in weapons systems, especially if non-redundant, as the transistor AlGaN / GaN HEMT. Despite strong test of maturity, reliability, according to the performance described by the manufacturers and academic laboratories, the long-term behavior of this technology is not well known. In order to meet this need, Thales Air System has asked the help of ISTIA. Our work will be useful to Thales Air System to master the reliability of their systems. The critical aspecst of theirs, used for military application, enforces this willingness. |
| Langue de rédaction | Français |
| Nb pages | 51 |
| Diplôme | Diplôme d'ingénieur en génie des systèmes industriels |
| Date de soutenance | 2012-02-29 |
| Editeur | Université Angers |
| Place Published | Angers |
| Entreprise | Thalès Air Systems |
| Tuteur | Mr BARREAU Alain |
| Libellé UFR | ISTIA |